在2025年SK AI峰会上，SK海力士重磅发布了其DRAM与NAND闪存的远期发展路线图，清晰勾勒出从2026年直至2031年的技术演进路径。其中，备受关注的DDR6内存预计将在2029年至2031年间正式亮相，与之并肩的还有GDDR7-Next显存及PCIe 7.0 SSD。这份涵盖HBM、DRAM和NAND三大类别的规划，不仅针对传统消费市场，还特别强调AI领域的定制化创新，彰显了公司在高性能存储领域的雄心。
展望2026年至2028年，SK海力士将聚焦HBM系列的深度升级。标准HBM4将采用16层堆叠设计，而HBM4E则提供8层、12层和16层多种选项，同时推出专属定制版HBM4E，以满足AI服务器的多样需求。在DRAM领域，LPDDR6将成为主流产品，适用于移动设备和嵌入式系统；AI专用产品线则包括LPDDR5X SOCAMM2、第二代MRDIMM、LPDDR5R以及CXL LPDDR6-PIM第二代，这些创新将显著提升数据中心的数据吞吐效率。NAND闪存方面，公司计划推出容量超245TB的QLC PCIe 5.0 SSD，覆盖消费与企业级市场；PCIe 6.0 SSD将进一步普及，UFS 5.0则瞄准智能手机等移动终端；AI市场还将迎来高密度专用NAND，助力大规模模型训练。
进入2029年至2031年，技术跃升将更为激进。HBM5和HBM5E将登场，并配备高度定制化版本——这些产品将集成更多控制器和协议IP，直接嵌入芯片内部，从而为GPU或ASIC释放宝贵空间，并降低接口能耗。在DRAM阵营，GDDR7-Next作为GDDR7的进化版，将挖掘出更高的速度潜力（当前GDDR7标准上限48Gbps），适用于高端显卡；DDR6和3D DRAM的同步到来，标志着PC与服务器从DDR5向下一代的平稳过渡。NAND产品线则包括PCIe 7.0 SSD（消费/企业双版本）、UFS 6.0闪存，以及堆叠层数超过400层的4D NAND；AI专用高性能和高带宽AI-N产品，将进一步巩固SK海力士在边缘计算领域的领先优势。
这份路线图的发布，不仅回应了AI时代对存储带宽与容量的饥渴需求，还凸显了SK海力士的战略布局：在传统市场稳扎稳打的同时，深度绑定NVIDIA等合作伙伴，推动定制HBM的生态闭环。业内专家指出，这一规划或将重塑2030年前的内存格局，尤其DDR6的延迟登场，暗示DDR5仍将主导数年市场。面对供应链波动与地缘挑战，SK海力士的远见，或将成为行业风向标。存储革命，正蓄势待发。
