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近日，国内芯片行业传来好消息，多家企业在先进制程研发方面取得了新的突破，进一步缩小了与国际先进水平的差距。
中芯国际方面，其N+2工艺（相当于7nm制程）的良率持续提升，目前已达到量产水平。采用该工艺的芯片将在今年下半年开始大规模出货，主要面向移动终端和物联网应用。
在光刻机领域，国产DUV光刻机传来进展消息。虽然EUV光刻机仍存在较大差距，但国产DUV光刻机的技术成熟度不断提升，为国产芯片产能的扩张提供了设备保障。
存储芯片方面，长江存储的232层3D NAND闪存已实现稳定量产，并在企业级存储市场获得了越来越多的采用。合肥长鑫的DDR5内存颗粒也进入了客户验证阶段，预计明年可以量产。
GPU芯片是当前最受关注的领域之一。华为昇腾系列AI芯片持续迭代，性能已达到国际主流产品的70%以上。壁仞科技、摩尔线程等初创企业也在专用GPU方面取得了进展。
在芯片设计工具（EDA）方面，国产替代进程加快。华大九天、芯愿景等企业的EDA工具在部分场景下已能够支持7nm及以上的芯片设计。
当然，我们也要清醒地认识到，国产芯片在先进制程、核心设备、高端芯片等领域与国际领先水平仍存在较大差距。要实现完全自主可控，还需要长期的努力和投入。
展望2026年，随着国产替代政策的持续推进和企业的不断创新，国产芯片有望取得更多突破。
