三星研发新封装技术 让智能手机和平板集成HBM内存

三星研发新封装技术 让智能手机和平板集成HBM内存

过去几年里，得益于人工智能热潮，高带宽内存（HBM）迭代速度明显加快，成为市场上最受追捧的DRAM技术之一。去年SK海力士凭借向英伟达大规模供应HBM3和HBM3E，一度超越三星领跑DRAM市场。

据Wccftech报道，三星正在开发一种独特的封装技术，能让智能手机和平板电脑使用HBM芯片，为移动设备打造高性能AI终端产品。传统移动DRAM使用的铜线键合技术使I/O引脚数量仅限于128至256个，在提升能效和降低发热量的同时存在较大的信号损耗。

三星计划使用超高长宽比铜柱结合扇出型晶圆级封装（FOWLP）来提升耐热性及增强持续工作负载性能。通过垂直铜柱堆栈（VCS）创新，DRAM芯片能以”阶梯”结构堆叠，克服移动设备尺寸限制。三星已把铜柱长宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1–20:1，但这种方法会导致铜柱直径减小。若直径低于10微米，铜柱可能弯曲甚至断裂，扇出型晶圆级封装技术可通过外延伸铜线增强结构完整性，并增加I/O引脚数量，带来30%的带宽提升。

目前尚不清楚三星何时应用该技术，从时间表来看可能集成到Exynos 2800或Exynos 2900。另有传闻称苹果也考虑将HBM引入iPhone，但不确定是否会实现。