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ASML官方宣布，新一代High NA EUV光刻机将于近期开始交付给客户。这款设备是全球最先进的芯片制造设备，将推动芯片工艺进入新的阶段。
High NA EUV光刻机的数值孔径从0.33提升至0.55，可以实现更高的光刻分辨率。这意味着芯片制造商可以在更小的面积上集成更多晶体管，芯片性能将大幅提升。
Intel将成为首批获得High NA EUV光刻机的厂商。Intel计划在2026年使用这款设备实现2nm以下工艺的量产，在先进制程竞赛中取得领先。
三星和台积电也在积极采购High NA EUV设备。虽然设备价格高达3.5亿美元，但先进制程带来的性能优势让各大厂商不惜重金投入。
ASML还透露，High NA EUV的下一代产品已经在研发中。新一代设备的数值孔径将提升至0.75，进一步推动芯片工艺的极限。
对中国市场的影响方面，由于出口管制限制，中国芯片厂商暂时无法获得EUV设备。不过，国产光刻机也在加快追赶步伐，上海微电子等企业正在突破关键技术。
分析师认为，High NA EUV的普及将推动AI芯片、智能手机处理器等产品的性能提升。芯片行业将迎来新一轮的技术竞赛。
