存储三巨头被集体诉讼！三星SK海力士美光涉嫌合谋制造“内存末日”

HBM转型：产能挤压的真相

诉讼的核心逻辑直指HBM（高带宽内存）对传统DRAM产能的系统性挤压。单颗HBM3E芯片面积约为传统DDR芯片的两倍，2026年HBM预计将消耗全球DRAM晶圆产能的约25%，且需求以每年约70%的速度增长。与此同时，分配给传统DRAM的产能仅增长10%，这一剪刀差直接导致消费级内存的供应缺口不断扩大。

原告认为，三巨头完全有能力同步扩产传统DRAM来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM领域，形成了事实上的”协同减产”。原告约翰·特里诺代表近年购买含传统DRAM产品的消费者和企业发起诉讼，苹果近期全面上调iPad和Mac售价也被列为触发事件之一。

历史重演？反垄断前科引发关注

令人侧目的是，这并非三巨头首次面临类似指控。2005年，三星就DRAM价格操纵案向美国司法部认罪，被处以3亿美元刑事罚款，创下当时美国反垄断史上第二大罚单。SK海力士同年认罪并被罚1.85亿美元，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名高管被判入狱。

诉讼认为，三家公司当年通过协调产量和报价操纵市场，如今只是将同样的手法包装成”HBM转型”的新外衣。在可预见的未来，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，这场诉讼能否撼动三大巨头的寡头格局，值得持续关注。