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ASML宣布英特尔已使用High-NA EUV光刻技术

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ASML宣布英特尔已使用High-NA EUV光刻技术

2026-07-16 · 萌头条编辑部

ASML宣布英特尔已使用High-NA EUV光刻技术
▲ 图片来源:3DMGame

科技行业再掀波澜——ASML宣布英特尔已使用High-NA EUV光刻技术。萌头条编辑部综合各方信息,为你剖析事件全貌与深层次影响。

一、技术突破与产品亮点

ASML宣布,英特尔正在Intel 18A工艺上采用High-NA EUV光刻技术,生产部分代号“Panther。Lake”的第三代酷睿Ultra系列处理器,成为了业界首个采用High-NA。

据了解,EUV光刻技术大规模生产逻辑芯片的企业。目前英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Intel 18A生产线已完成High-NA。EUV双重认证,良品率达到了现有NXE EUV平台的水平。

分析指出,ASML表示,过去数十年里,与英特尔一直保持紧密合作推动光刻技术的发展,并支持半导体的持续扩展。High-NA。

二、市场影响与趋势分析

EUV是极紫外光刻技术发展历程里非常重要的下一步,旨在为先进芯片制造提供更精确的图案化能力。未来双方将在High-NA。EUV技术准备方面继续展开密切合作,并根据客户需求灵活将其整合到未来制程节点中。

据了解,2023年末,ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机,型号为TWINSCAN。EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机,于2024年4月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab。

分析指出,D1X完成安装。提供0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。

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